กระจก Ito สำหรับป้องกัน emi และหน้าจอสัมผัส

คุณสมบัติ:

ขนาดและรูปร่างที่กำหนดเอง

ความหนาแน่นทางกายภาพสูงของการเคลือบ

ความต้านทานไฟฟ้าจำเพาะ

แก้วความต้านทานสูง (ความต้านทานระหว่าง 150 ถึง 500 โอห์ม)

กระจกธรรมดา (ความต้านทานระหว่าง 60 ถึง 150 โอห์ม)

แก้วความต้านทานต่ำ (ความต้านทานน้อยกว่า 60 โอห์ม)

ความเสถียรต่อสิ่งแวดล้อมและอุณหภูมิสูง

การนำไฟฟ้าที่ดีเยี่ยมและความโปร่งใสทางแสง

ความสม่ำเสมอของการเคลือบผิว

ความสามารถในการป้องกันสนามแม่เหล็กไฟฟ้า

สามารถฝากเป็นฟิล์มบางได้

มีเสถียรภาพทางความร้อนและทางเคมี

ขอใบเสนอราคา

รายละเอียดผลิตภัณฑ์

แท็กสินค้า

ภาพสินค้า

กระจกเคลือบนำไฟฟ้า ITO ทำจากการแพร่กระจายชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ (SiO2) และอินเดียมทินออกไซด์ (ที่รู้จักกันทั่วไปในชื่อ ITO) ด้วยเทคโนโลยีแมกนีตรอนสปัตเตอร์ริ่งบนพื้นผิวแก้วภายใต้สภาวะสูญญากาศทั้งหมด ทำให้หน้าเคลือบเป็นสื่อกระแสไฟฟ้า ITO เป็นสารประกอบโลหะที่มีความโปร่งใสและ คุณสมบัติการนำไฟฟ้า

EMI ป้องกัน ito แก้ว

2mm ito เคลือบกระจกฝาครอบแผงสัมผัส

กระจกนิรภัย 3 มม. เป็นสื่อกระแสไฟฟ้า

กระจก ito ขนาด 4 มม. สำหรับสวิตช์สัมผัสแบบ capacitive

ข้อมูลทางเทคนิค

ความหนาของกระจก ITO	0.4 มม. 0.5 มม. 0.55 มม. 0.7 มม. 1 มม. 1.1 มม. 2 มม. 3 มม. 4 มม.
ความต้านทาน	3-5Ω	7-10Ω	12-18Ω	20-30Ω	30-50Ω	50-80Ω	60-120Ω	100-200Ω	200-500Ω
ความหนาของชั้นเคลือบ	2000-2200Å	1600-1700Å	1200-1300Å	650-750Å	350-450Å	200-300Å	150-250Å	100-150Å	30-100 ออน

ความต้านทานแก้ว
ประเภทความต้านทาน	ความต้านทานต่ำ	ความต้านทานปกติ	ความต้านทานสูง
คำนิยาม	<60Ω	60-150Ω	150-500Ω
แอปพลิเคชัน	กระจกความต้านทานสูงโดยทั่วไปใช้สำหรับการป้องกันไฟฟ้าสถิตและการผลิตหน้าจอสัมผัส	กระจกต้านทานทั่วไปมักใช้สำหรับจอแสดงผลคริสตัลเหลวชนิด TN และการป้องกันการรบกวนทางอิเล็กทรอนิกส์ (การป้องกัน EMI)	กระจกความต้านทานต่ำมักใช้ในจอแสดงผลคริสตัลเหลว STN และแผงวงจรโปร่งใส

การทดสอบการทำงานและการทดสอบความน่าเชื่อถือ
ความอดทน	±0.2mm
บิดเบี้ยว	ความหนาเ0.55 มม. การบิดเบี้ยว≤0.15% ความหนา＞0.7 มม. การบิดเบี้ยว≤0.15%
ZT แนวตั้ง	≤1°
ความแข็ง	>7H
การทดสอบการขัดถูเคลือบ	0000#ขนเหล็กกับ1000gf，6000 รอบ 40 รอบ / นาที
การทดสอบการสึกกร่อน (การทดสอบการพ่นเกลือ)	ความเข้มข้นของ NaCL 5%: อุณหภูมิ: 35°C เวลาทดลอง: การเปลี่ยนแปลงความต้านทาน 5 นาที≤10%
การทดสอบความต้านทานความชื้น	60℃，90%RH，เปลี่ยนความต้านทาน 48 ชั่วโมง≤10%
การทดสอบความต้านทานกรด	ความเข้มข้นของ HCL:6% อุณหภูมิ: 35°C เวลาทดลอง: การเปลี่ยนแปลงความต้านทาน 5 นาที≤10%
การทดสอบความต้านทานด่าง	ความเข้มข้นของ NaOH: 10% อุณหภูมิ: 60°C เวลาทดลอง: การเปลี่ยนแปลงความต้านทาน 5 นาที≤10%
ความเสถียรทางความร้อน	อุณหภูมิ: 300 °C เวลาทำความร้อน: 30 นาทีความต้านทานเปลี่ยน≤300%

กำลังประมวลผล

แผนภูมิการไหลของแก้วอิโตะ

มีการซ้อนทับ Sio2 ภายใต้การเคลือบ Ito นั่นคืออะไร?

ชั้น Si02:
(1) บทบาทของเลเยอร์ SiO2:
วัตถุประสงค์หลักคือเพื่อป้องกันไม่ให้ไอออนของโลหะในซับสเตรตโซดา-แคลเซียมแพร่กระจายไปยังชั้น ITOส่งผลต่อการนำไฟฟ้าของชั้น ITO

(2) ความหนาของฟิล์มชั้น SiO2:
ความหนาของฟิล์มมาตรฐานโดยทั่วไปคือ 250 ± 50 Å

(3) ส่วนประกอบอื่นๆ ในเลเยอร์ SiO2:
โดยปกติ เพื่อปรับปรุงการส่งผ่านของแก้ว ITO สัดส่วนหนึ่งของ SiN4 จะถูกเจือลงใน SiO2

ทั้งสองเป็นกระจกนำไฟฟ้า, แก้ว Fto คืออะไร?